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AO4712详细

MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC

AO4712参数

包装:带卷 (TR),系列:SRFET™,FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 11.2A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1885pF @ 15V,功率 - 最大值:3.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),供应商器件封装:8-SOIC
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